Profesyonel açıdan bakıldığında çipin üretim süreci son derece karmaşık ve sıkıcıdır.Bununla birlikte, IC'nin tüm endüstriyel zinciri temel olarak dört bölüme ayrılmıştır: IC tasarımı → IC üretimi → paketleme → test.
Çip üretim süreci:
1. Çip tasarımı
Çip, küçük hacimli ancak son derece yüksek hassasiyete sahip bir üründür.Çip yapmak için tasarım ilk kısımdır.Tasarım, EDA aracı ve bazı IP çekirdekleri yardımıyla işlenmesi için gereken çip tasarımının çip tasarımından yardım almasını gerektirir.
Çip üretim süreci:
1. Çip tasarımı
Çip, küçük hacimli ancak son derece yüksek hassasiyete sahip bir üründür.Çip yapmak için tasarım ilk kısımdır.Tasarım, EDA aracı ve bazı IP çekirdekleri yardımıyla işlenmesi için gereken çip tasarımının çip tasarımından yardım almasını gerektirir.
3. Silikon kaldırma
Silikon ayrıldıktan sonra kalan malzemeler terk edilir.Saf silikon, birçok aşamadan sonra yarı iletken üretim kalitesine ulaştı.Bu sözde elektronik silikondur.
4. Silikon döküm külçeleri
Saflaştırıldıktan sonra silikon, silikon külçelere dökülmelidir.Elektronik dereceli silikonun tek bir kristali külçeye döküldükten sonra yaklaşık 100 kg ağırlığındadır ve silikonun saflığı %99,9999'a ulaşır.
5. Dosya işleme
Silikon külçe döküldükten sonra silikon külçenin tamamının parçalara ayrılması gerekir ki bu da yaygın olarak gofret dediğimiz çok ince olan gofrettir.Daha sonra gofret mükemmel hale gelinceye kadar parlatılır ve yüzey ayna kadar pürüzsüz hale gelir.
Silikon levhaların çapı 8 inç (200 mm) ve 12 inç (300 mm) çapındadır.Çap ne kadar büyük olursa, tek bir talaşın maliyeti o kadar düşük olur, ancak işleme zorluğu da o kadar yüksek olur.
5. Dosya işleme
Silikon külçe döküldükten sonra silikon külçenin tamamının parçalara ayrılması gerekir ki bu da yaygın olarak gofret dediğimiz çok ince olan gofrettir.Daha sonra gofret mükemmel hale gelinceye kadar parlatılır ve yüzey ayna kadar pürüzsüz hale gelir.
Silikon levhaların çapı 8 inç (200 mm) ve 12 inç (300 mm) çapındadır.Çap ne kadar büyük olursa, tek bir talaşın maliyeti o kadar düşük olur, ancak işleme zorluğu da o kadar yüksek olur.
7. Tutulma ve iyon enjeksiyonu
İlk olarak, fotorezistin dışında açığa çıkan silikon oksit ve silikon nitrürün aşındırılması ve kristal tüp arasında yalıtım sağlamak için bir silikon tabakasının çökeltilmesi ve ardından alt silikonun açığa çıkarılması için aşındırma teknolojisinin kullanılması gerekir.Daha sonra bor veya fosforu silikon yapıya enjekte edin, ardından diğer transistörlere bağlanmak için bakırı doldurun ve ardından bir yapı katmanı oluşturmak için üzerine başka bir yapıştırıcı katmanı uygulayın.Genel olarak bir çip, yoğun şekilde iç içe geçmiş otoyollar gibi düzinelerce katman içerir.
7. Tutulma ve iyon enjeksiyonu
İlk olarak, fotorezistin dışında açığa çıkan silikon oksit ve silikon nitrürün aşındırılması ve kristal tüp arasında yalıtım sağlamak için bir silikon tabakasının çökeltilmesi ve ardından alt silikonun açığa çıkarılması için aşındırma teknolojisinin kullanılması gerekir.Daha sonra bor veya fosforu silikon yapıya enjekte edin, ardından diğer transistörlere bağlanmak için bakırı doldurun ve ardından bir yapı katmanı oluşturmak için üzerine başka bir yapıştırıcı katmanı uygulayın.Genel olarak bir çip, yoğun şekilde iç içe geçmiş otoyollar gibi düzinelerce katman içerir.
Gönderim zamanı: Temmuz-08-2023